一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED

作者：卫静婷; 张佰君; 刘扬; 范冰丰; 招瑜; 罗睿宏; 冼钰伦; 王钢

来源：半导体技术, 2008, 33(S1): 235-237.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.080

• 硅衬底
• 通孔
• 垂直结构LED
• 电流扩展
• 绿光LED
• N电极

为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。

• 出版日期2008
• 单位光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学