低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

作者：肖建伟; 徐俊英; 杨国文; 徐遵图; 张敬明; 陈良惠; ***; 蒋健; 钟战天

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1992, (04): 258-262.

• InGaAs-GaAs
• 多量子阱
• 阈值电流
• 应变层
• 激射波长
• 输出功率
• 腔长
• 有源区
• 外微分
• 泵浦源

采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.

• 出版日期1992
• 单位中国科学院半导体研究所