DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布

作者：赵洪利; 曾传滨; 刘魁勇; **; 罗家俊; 韩郑生

来源：半导体技术, 2015, (01): 63-67.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.013

• 直流电流电压(DCIV)
• 金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI)
• 有效界面陷阱面密度
• 最小二乘拟合
• U型分布 DC current-voltage(DCIV)
• metal oxide semiconductor / silicon on insulator(MOS / SOI)
• effective interface trap surface density
• least-squares-fit
• U-shaped distribution

基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图。分别对部分耗尽的n MOS/SOI和p MOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图。结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109cm-2·e V-1,而远离禁带中央的陷阱...

• 出版日期2015
• 单位辽宁大学; 中国科学院微电子研究所