基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片

作者：黄伟; 胡南中; 李海鸥; 于宗光

来源：电子学报, 2013, (09): 1858-1862.

• BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)
• 场致发光
• 自提取结终端
• 高低侧全桥驱动 bipolar-CMOS-DMOS(BCD)
• electroluminescent lamps(EL)
• self-extracted JTE trench(SEJTET)
• full-bridge

本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电...

• 出版日期2013
• 单位中国电子科技集团公司第五十八研究所; 桂林电子科技大学