利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性(英文)

作者：李家业; 赵永梅; 刘兴昉; 孙国胜; 罗木昌; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (01): 1-4.

• 3C-SiC
• 异质外延生长
• 水平热壁CVD
• 均匀性 3C-SiC
• heteroepitaxial growth
• horizontal hot-wall CVD
• uniformity

利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性、电学均匀性和厚度均匀性进行了分析.X射线衍射图中出现了强的3C-SiC的特征峰,其中3C-SiC的(200)和(111)峰的半高宽分别为0·41°和0·21°.3C-SiC外延膜方块电阻的均匀性最好可达2·15%.厚度均匀性可达±5·7%(σ/mean值).

• 出版日期2007
• 单位中国科学院半导体研究所