AlSb/GaAs(001)失配位错的高分辨电子显微学研究

作者：温才; 李方华; 邹进; 陈弘

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (03): 1928-1937.

• 高分辨电子显微像
• 解卷处理
• 界面
• 失配位错 high-resolution electron microscopic image
• image deconvolution
• interface
• misfit dislocation

用200kV六硼化镧光源的高分辨透射电子显微镜观察了AlSb/GaAs(001)外延薄膜的失配位错,结合解卷处理方法把[110]高分辨电子显微像转换为试样的结构投影图,其分辨率接近电子显微镜的信息极限.根据赝弱相位物体近似像衬理论,通过分析AlSb薄膜完整区解卷像的衬度随试样厚度的变化,确定了哑铃原子对中Al和Sb原子的位置.在此基础上构建出失配位错的结构模型,再结合模拟像与实验像的匹配,确定了AlAs型界面以及Lomer和60°两类失配全位错的核心结构.

• 出版日期2010
• 单位The University of Queensland; university of Queensland; 中国科学院物理研究所