抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

作者：翟亚红; 李平; 张国俊; 罗玉香; 范雪; 胡滨; 李俊宏; **; 束平

来源：Acta Physica Sinica, 2011, (08): 779-783.

• 双极n-p-n晶体管
• 辐射效应
• 电流增益
• 抗辐射 bipolar n-p-n transistor
• radiation effect
• current gain
• radiation-resistant

根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%—15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%—20%.

• 出版日期2011
• 单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室