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摘要
多晶硅薄膜已广泛应用于平板显示、微机电系统和集成电路等领域,在太阳电池和平板系统领域也有着巨大的应用前景。由于多晶硅薄膜存在晶界,晶界内的晶体缺陷和悬挂键会向带隙中引入界面态,界面态一方面会束缚载流子并形成势垒阻碍载流子的传输,另一方面会作为有效复合中心加重载流子的复合,因此,多晶硅薄膜上制备的器件的性能要低于与之对应的单晶硅薄膜器件的性能。为了从理论上阐明暗场和光照条件下多晶硅薄膜的电学性质,人们已发展了各种理论模型。此外,为了确定晶界界面态在带隙中的分布,人们已发展出分析法和计算机模拟两种方法。本文将简要概述人们在多晶硅薄膜电学输运理论和晶界界面态分布确定方法等方面的主要研究进展,以期对从事多晶硅薄膜或多晶半导体输运性质研究的科研工作者有所参考和启发。
- 出版日期2017
- 单位中山大学
