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摘要
为了满足在脉冲γ辐射测量中对测量动态范围大、对中子相对不灵敏、而对γ灵敏且γ灵敏度约10-14C?cm2的电流型探测器的要求,介绍一种新型半导体探测器的物理设计思想,提供φ80mm×800μmPIN阵列探测器实物照片和部分性能参数测量结果。结果表明:可以通过改变构成探测器阵列的单一PIN探测器数量,使探测器阵列系统灵敏度在10-15～10-14C?cm2范围附近调节;当供电电压大于600V时,灵敏度已基本稳定;构成阵列探测器的单个探测器数量越多,时间响应波形展宽越多。
- 出版日期2005
- 单位中国工程物理研究院电子工程研究所; 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
