高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展

作者：陈航洋; 刘达艺; 李金钗; 林伟; 杨伟煌; 庄芹芹; 张彬彬; 杨闻操; 蔡端俊; 李书平; 康俊勇

来源：物理学进展, 2013, (02): 43-56.

• Ⅲ族氮化物
• AlGaN
• AlN
• MOVPE
• 紫外LED Ⅲ-nitrides
• AlGaN
• AlN
• MOVPE
• UV-LED

随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外L...

• 出版日期2013
• 单位厦门大学