AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作

作者：李倩; 安宁; 曾建平; 唐海林; 李志强; 石向阳; 谭为

来源：半导体技术, 2018, 43(05): 341-346.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.003

• 横向肖特基势垒二极管(SBD)
• AlGaN/GaN
• AlGaN层厚度
• 空气桥
• 太赫兹

基于GaN横向肖特基势垒二极管(SBD)的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结AlxGaN1-x/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当AlxGaN1-x层中Al摩尔组分为0.20.25,其厚度为2030 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。

• 出版日期2018
• 单位中国工程物理研究院电子工程研究所; 中国工程物理研究院