采用原位聚合法制备了由4-氨基二苯胺修饰的多壁碳纳米管,之后将其高温炭化制备了氮掺杂多壁碳纳米管。结果表明:掺杂后的碳纳米管氮含量由未掺杂前的0增加到3.89%,且在0.5 A/g时比电容为150 F/g,是未掺杂碳纳米管电容值的3倍,这归因于氮元素掺杂贡献的优异的表面润湿性和赝电容性能。
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