隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

作者：马铁英; 李铁; 李劲松

来源：光电子-激光, 2010, (02): 227-230.

DOI：10.16136/j.joel.2010.02.002

• 非晶硅(a-Si)
• 退火
• 红外透射
• 释H2 amorphous silicon
• annealing
• FTIR
• hydrogen release

对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。

• 出版日期2010
• 单位中国科学院; 中国计量大学; 传感技术国家重点实验室