一种基于硅衬底的LED垂直芯片及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及一种硅衬底的LED垂直芯片及其制备方法。一种基于硅衬底的LED垂直芯片，包括：依次设置的背面金属层、金属通孔层、硅衬底、外延层、电流扩散层、电流阻挡层、钝化层和正电极，其中：背面金属层和金属通孔层共同组成负电极；金属通孔层包括通孔、金属种子层和通孔填充金属；金属通孔层将背面金属层和外延层相连，形成背面负电极和顶部正电极的LED垂直结构。本发明LED垂直芯片省去了衬底转移工艺，避免了在转移衬底过程中工艺复杂、良率不稳定等问题；相比于现有市场的正装和倒装LED芯片，本发明LED垂直芯片解决了电流横向传输中电流拥挤的问题，保留了垂直结构芯片中电流垂直传输的优势。

关键词