摘要

以三氯化铝和叠氮化钠为原料,用复分解反应制备单晶氮化铝(AlN)纳米线。样品呈灰白色粉末,反应温度为650℃,反应时间为3h,并对该样品进行X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射测试分析。结果表明:样品为六方相氮化铝且为表面光滑的长直形圆柱状,直径为50 nm左右,长度均在10μm以上,晶格常数分别为a=0.268nm、c=0.498nm。AlN样品性能的研究表明:样品禁带宽度约为6.14eV,并对光致发光谱中各峰的形成原因进行分析。采用气-固生长机理和择优取向原理对单晶纳米线的生长进行解释。

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