GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其热氮化形成方法

作者：王洪; 李先辉; 周泉斌; 高升

来源：2019-08-13, 中国, CN201910745889.9.

本发明公开了一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其热氮化形成方法,所述电极为在GaN基HEMT的外延层上表面的两侧从下到上依次排布的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层X、第四金属层Ti和帽层金属层TiN,其中X为Ni、Ni/Ti/Ni或Ni/Ti/Ni/Ti/Ni多层金属中的一种以上。本发明避免了高温制备帽层金属层TiN过程,降低了工艺温度和工艺复杂程度,简化了工艺流程,同时低温提升了工艺的兼容性,有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。

• 出版日期2019-8-13
• 单位中山市华南理工大学现代产业技术研究院