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A new small-signal model for asymmetrical AlGaN/GaN HEMTs
作者:Ma Teng
*
; Hao Yue; Chen Chi; Ma Xiaohua
来源:
Chinese Journal of Semiconductors
, 2010, 31(6): 064002.
DOI:10.1088/1674-4926/31/6/064002
Accurate prediction
AlGaN/GaN HEMTs
AlGaN/GaN high electron mobility transistors
asymmetrical structure
Device structures
GaN HEMTs
Optimization method
Parameter values
Parasitic element
Physical meanings
Pinchoff
Small signal model
出版日期
2010--
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