扩孔液中Cu2+离子对高压铝箔直流腐蚀的影响

作者：何凤荣; 余凯; 张霞; 向云刚; 肖远龙^*

来源：电子元件与材料, 2019, 38(09): 66-76.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.09.010

• 高压铝箔
• 极化曲线
• 2+离子" name="keyword">Cu2+离子
• 比电容
• 直流腐蚀
• 扩孔

采用极化曲线、扫描电子显微镜(SEM)和电感耦合等离子体-质谱(ICP-MS)研究了铝箔在含Cu2+的HNO3扩孔液中电化学腐蚀行为,同时考察了扩孔液中添加DCTA对Cu2+的络合缓解效果。结果表明,HNO3扩孔液中添加Cu2+后,由于形成了Cu-Al原电池,自腐蚀电位明显正移,自腐蚀电流也增加;过多的Cu2+会减小隧道孔平均长度,但显著增大孔径,导致并孔发生。腐蚀箔520 V比容随着Cu2+含量的增加,先保持不变后显著减小,扩孔液中Cu2+质量浓度应控制在0.70 ppm以下。另外,在含Cu2+的扩孔液中引入络合剂DCTA,不能缓解Cu2+的不利影响,反而会劣化腐蚀箔性能。

• 出版日期2019
• 单位乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司; 东莞东阳光科研发有限公司