6H-SiC单晶材料的分子动力学分析

作者：李伟; 杨晓翠

来源：白城师范学院学报, 2017, 31(02): 21-25.

• 6H-SiC
• 能带
• 态密度
• 能级
• 掺杂

SiC因其优良性能被誉为新一代的半导体材料,本文利用Materials Studio对6H-SiC进行了建模,对6H-SiC的能带和态密度进行了分析,此外,以6H-SiC为衬底,进行Al元素掺杂,从微观机制,分析了6H-SiC的半导体导电性能.

• 出版日期2017
• 单位白城师范学院