Hg_(1-x)Cd_xTe深缺陷能级研究

作者：周洁; 封松林; 卢励吾; 司承才; 李言谨; 胡晓宁

来源：红外与毫米波学报, 1994, (05): 359-363.

• 深能级瞬态谱
• 缺陷能级
• Hg_(1-x)Cd_xTe deep levels transient spectroscopy
• defect levels
• Hg1_xCdx
• Te.

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p~+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质.

• 出版日期1994
• 单位中国科学院半导体研究所; 中国科学院上海技术物理研究所