通过共沉淀法合成了发红色荧光的类水滑石材料,采用硅烷偶联剂对其进行了表面改性,并利用荧光光谱、红外光谱、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等对其结构和性能进行了表征,探讨了表面改性对荧光类水滑石的影响.将改性荧光类水滑石与发射波长为384 nm的In Ga N芯片组合制成发光二极管,器件发出明亮的红光.研究结果表明,改性的发红色荧光的类水滑石是制作白光二极管可供选用的红色发光材料.
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