Nb取代对Ba_3Nd_3Ti_(10-n)Nb_nO_(27.5+n/2)瓷介电性能和结构的影响

作者：韩晓东; 江涛; 陈亿裕

来源：电子元件与材料, 2002, (03): 12-14.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2002.03.004

• 钡钕钛铌瓷
• 钨青铜结构
• Nb取代
• 缺陷结构
• 介电常数 BNNT ceramics
• tungsten bronze structure
• Nb replacement
• defect structure
• dielectric constant

以Ba3Nd3Ti10O30为基,通过不同量的Nb取代实验,探讨Nb取代对Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2瓷(n=0~10 mol)(简称BNTN)介电性能和结构的影响。实验结果表明,Nb取代使其e显著提高,并改变ae与频率特性。XRD、SEM结构分析可知,主晶相为非填满型钨青铜结构四方晶相。Nb取代产生VA2(Ba)缺位,缺陷结构有利于电子、离子位移极化的发生,晶相极化率增大。显然Nb取代引起这种结构变化是e显著提高的主要机制。

• 出版日期2002
• 单位华南理工大学