摘要

采用等离子体增强化学气相沉积方法制备得到了不同偏压下(0.8kV、0.9kV、1.0kV)的多界面氟硅共掺杂类金刚石薄膜。通过SEM表征可知,在不同偏压下制备的薄膜厚度分别为5.0μm、8.5μm和10μm;通过TEM表征得到所制备的膜层为无定型结构;划痕测试与腐蚀测试结果显示,0.8kV下制备得到的膜层不仅膜基结合好,而且耐蚀性能好。

  • 出版日期2017
  • 单位铜仁学院