MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状

作者：付方彬; 金鹏; 刘雅丽; 龚猛; 吴巨; 王占国

来源：微纳电子技术, 2016, 53(09): 571-587.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2016.09.002

• 金刚石
• 宽禁带
• 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)
• 同质外延生长
• 掺杂

简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。

• 出版日期2016
• 单位中国科学院半导体研究所