纤锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

作者：李伟; 张芳; 危书义

来源：液晶与显示, 2008, (01): 43-47.

• GaN/In_xGa_(1-x)N/GaN
• 界面声子-电子相互作用
• 量子阱 GaN/In_xGa_(1-x)N/GaN
• electron-interface phonon interaction
• quantum well

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿。结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同。

• 出版日期2008
• 单位河南师范大学; 平顶山学院