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摘要
光刻设备的分辨率越来越高,以满足集成电路特征尺寸不断缩小的要求。根据瑞利判据,可以通过缩小曝光波长和工艺因子、增大数值孔径来提升光学投影光刻的分辨率。随着数值孔径的增加,光的偏振特性对成像的影响越来越大。通过分析偏振光的成像特性,控制照明的偏振方向,可以延伸光刻的分辨率。运用光的干涉原理分析了偏振光影响成像质量的原因,结合阿贝成像原理与偏振的矢量特性对偏振光的成像进行了仿真,比较了不同偏振照明下的成像对比度及焦深。结果表明,对图形选取相应的偏振照明,可以改善成像质量。
- 出版日期2011
- 单位中国科学院大学; 中国科学院光电技术研究所
