SiO_2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响

作者：袁愿林; 姚昌胜; 王果; 陆敏

来源：固体电子学研究与进展, 2012, 32(02): 110-114.

DOI：10.3969/j.issn.1000-3819.2012.02.003

• 氮化镓
• PIN
• 探测器
• 漏电流
• 钝化层 GaN
• PIN
• detector
• leakage current
• passivation

成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。

• 出版日期2012
• 单位北京大学深圳研究生院; 中国科学院研究生院; 北京大学; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所