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摘要
SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件。通过研究器件在高压下的光响应行为，发现随着偏压的增加，器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处，表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性。这说明SiC APD在进行微弱紫外光探测时，凭借材料本身性质便可屏蔽可见及红外光的影响，有利于降低器件复杂度和成本。另外，为了增大器件的感光面积，将SiC APD直径增大到500μm,器件在95%击穿电压下，暗电流仅为2×10-10 A,当暗计数为1 Hz/μm2时，器件单光子探测效率为0.7%,实现了SiC APD尺寸上的突破。
- 出版日期2022
- 单位电子信息工程学院; 南京信息工程大学滨江学院; 枣庄学院
