科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，以甲烷为碳源，在金属铜箔上制备了三维垂直石墨烯。通过调节生长参数，进行了七组对比实验，利用扫描电子显微镜，拉曼光谱对垂直石墨烯的形貌、质量以及层数进行了表征，用二级结构的场发射仪器测试了垂直石墨烯的场发射特性，研究了垂直石墨烯的场发射特性与其形貌、质量和密度的关系，并获得了开启电场低至0.29 V/μm的场发射特性。研究结果表明，垂直石墨烯是一种良好的场发射材料，未来在真空电子源中具有广阔的应用前景。
-
单位材料学院; 郑州航空工业管理学院
