<正>目前,大体积高质量晶体材料的制备为国防高技术装备所急需。作为一种新型室温核辐射探测器材料--CdZnTe(CZT) 备受瞩目。CZT单晶是一种三元化合物半导体,主要用来制作探测器,其特点在于禁带宽度大,电阻率高,平均原子序数高,对核辐射射线的阻止本领强,在外加偏压情况下漏电流小,是一种理想的室温核辐射探测器新材料。但生长此种单晶在我国还处在研发阶段,有待对其生长条件进行大量的试验和探索。为了生长优质高阻单晶,根据单晶生长理论和坩埚旋转规律与流动稳
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