电化学研究在锗的化学机械抛光上的应用

作者：潘柏臣; 张保国; 周朝旭

来源：稀有金属, 2017, 41(10): 1137-1142.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.xy16070031

• Ge
• 电化学
• 腐蚀性
• 化学机械抛光
• 表面粗糙度

通过电化学工作站对p型2英寸(1英寸=2.54 cm)Ge晶圆进行了研究,结合Alpsitec E460抛光机、原子力显微镜(AFM)验证电化学研究对于Ge的化学机械抛光的理论指导意义。结果表明:NaOH作为pH调节剂对Ge具备着比KOH,NH3·H2O作为pH调节剂更强的腐蚀性;在H2O2浓度一定的条件下,Ge的腐蚀性随着电解液中pH值的增加而增加;在pH相同的条件下,NaClO对Ge的腐蚀性要高于H2O2对Ge的腐蚀性。使用Alpsitec E460机台对电化学测试结果进行验证比较,经过条件优化,在5%(质量分数)的SiO2磨料,1%(原子分数)的H2O2,pH=9条件下对Ge晶圆进行化学机械抛光得到Ge的抛光速率为299.87 nm·min-1,通过AFM观测抛光120 s后Ge晶圆表面粗糙度RMS=1.86 nm(10μm×10μm),线粗糙度Ra可达0.137 nm。说明了Ge的电化学测试可以有效为实际的CMP研究提供可靠的理论指导。

• 出版日期2017
• 单位河北工业大学; 电子信息工程学院