一种半导体光敏剂AgBiS-2量子点及其制备方法

作者：李薇馨; 葛静; 赵雷; 陈辉; 方伟; 何漩

来源：2019-10-30, 中国, ZL201911046464.5.

本发明涉及一种半导体光敏剂AgBiS-2量子点及其制备方法。其技术方案是：按照银盐∶铋盐的物质的量的比为1∶(1～4)混合,得混合料；再按浓度为0.19～0.21mol/L,将混合料与油胺混合,在氮气气氛、100～120℃和500～800r/min的条件下搅拌,得含Ag～+和Bi～(3+)的混合前驱体溶液。按浓度为0.39～0.41mol/L,将升华硫和1-十八烯混合,于相同条件下搅拌,制得硫的前驱体溶液。在190～210℃和氮气气氛条件下,按照含Ag～+和Bi～(3+)的混合前驱体溶液∶硫的前驱体溶液的体积比为1∶(0.9～1.1)混合,在500～800r/min条件下搅拌8～10min,制得半导体光敏剂AgBiS-2量子点。本发明所制制品尺寸可控、表面缺陷少和光响应能力优良,有利于在量子点敏化太阳能电池中的应用。

• 出版日期2019-10-30
• 单位武汉科技大学