离子注入辣椒出苗特性的研究

作者：蔡长龙; 梁海锋; 马睿; 严一心

来源：种子, 2012, (08): 49-51.

DOI：10.16590/j.cnki.1001-4705.2012.08.073

• 离子注入
• 辣椒
• 生长特性
• 致死临界曲线 ion implantation
• pepper
• growth characteristics
• death critical curve

采用生物改性离子注入设备对辣椒干种子进行了N+离子注入,详细进行了干种子注入N+离子后的育种和生长特性研究,主要研究了N+离子注入后辣椒种子的出苗率、出苗时间与N+离子注入工艺参数之间的关系,通过研究,获得了致死率为50%的离子注入工艺参数,同时,得到了离子能量和注入剂量相关的致死临界曲线,该致死临界曲线类似于反比例曲线。研究表明,致死临界曲线上任一点的离子能量和注入剂量之积在2×1017keV.ions/mm2-2.5×1017keV.ions/mm2范围内,即当离子能量与注入剂量之积大于2.5×1017keV.ions/mm2时,种子全部致死,当离子能量与注入剂量之积小于2×1017keV...

• 出版日期2012
• 单位西安工业大学