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摘要
<正> 观察到,当用高纯铝丝(含铝99.99％)在外延基座表面划线作记号,再将外延片衬底放在该位置上,进行常规的SiCl_4-H_2还原法外延,然后将外延片用Sirtl腐蚀液显示,可看出:对应于基座上划线的位置,外延层中的小浅坑缺陷(亦被称为“雾点”、梨皮点”)
- 出版日期1980
- 单位中国科学院半导体研究所
<正> 观察到,当用高纯铝丝(含铝99.99％)在外延基座表面划线作记号,再将外延片衬底放在该位置上,进行常规的SiCl_4-H_2还原法外延,然后将外延片用Sirtl腐蚀液显示,可看出:对应于基座上划线的位置,外延层中的小浅坑缺陷(亦被称为“雾点”、梨皮点”)
