多孔硅的热氧化与光致发光

作者:李经建; 朱涛; 刘忠范; 蔡生民; 王昕; 张树霖
来源:科学通报, 1995, (14): 1282-1285.

摘要

<正>多孔硅的室温可见光发射现象报道迄今已3年有余,Canham和Lehamm分别提出了光发射的量子限制模型,来解释多孔硅的光致发光现象.我们前期工作中发现的多孔硅的荧光峰值能量随HF酸浓度变化的“台阶”行为,有力地支持了量子限制模型.但对于荧光强度的变化和一些与表面后处理有关的实验事实,仅用量子限制模型则不能给出令人满意的回答.关于多孔硅光致发光的机制仍是一个争论的问题.