FlashMemory由于其具有非挥发电可编程及片擦除的特性而倍受用户欢迎,经历过高速发展时期而供过于求。随着嵌入式系统和移动通信的发展及集成电路特征尺寸的减小,对低功耗和更块的擦写速度提出了新的要求。本文从传统FlashMemory的结构缺陷上分析,为降低功耗及提高擦写速度方面提出了改进方法,并介绍了FlashMemory技术的发展趋势。
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