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摘要
本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小,欧姆接触电阻大,短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅,且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方,形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好,欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点,可用作小尺寸的微波功率器件。
- 出版日期2016-5-6
- 单位西安电子科技大学
