低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究

作者：郑伟艳; 刘玉岭; 王辰伟; 串利伟; 魏文浩; 岳红维; 曹冠龙

来源：功能材料, 2012, (24): 3472-3474.

• 低压
• 碱性
• 铜布线化学机械平坦化
• 高低差
• 速率 low down pressure
• alkaline slurry
• copper pattern wafer CMP
• step height
• removal rate

随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。

• 出版日期2012
• 单位河北工业大学