通过阳极氧化试验和 X 射线衍射分析,研究了铝化物掺杂量对钽阳极氧化膜电性能特别是击穿电压的影响,分析了掺杂剂 NaAlO_2与钽粉作用后生成的主要新相的组成和结构,发现当掺杂量≤01wt%时,钽阳极的击穿电压随掺杂量的增加而线性增加,当掺杂量为0.5wt%时,击穿电压反而下降了43V;主要新相的组成和结构是四方 AlTaO_4相。此外还讨论了掺杂量与击穿电压间的相关性,认为控制适当的掺杂量是重要的。
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