通过物理气相沉积的方法制备出Si/非晶/Mo/AlN多层膜器件,利用透射电子显微学方法研究了截面样品和AlN薄膜平面样品,确定了AlN和Mo的界面形态和生长方式。研究表明二者取向关系为[21 10]AlN//[1 11]Mo,(0002)AlN//(110)Mo,且Mo表面的粗糙程度对AlN的生长有影响,因此本文为改进器件性能提供了参考方向。
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