采用电子束曝光技术以及反应离子刻蚀技术,提出一种简单可控、低成本制备有序排布的一维和二维光子晶体阵列的方法。通过有效的控制刻蚀工艺参数,实现对光子晶体在尺寸、周期和表面结构等进行精确控制目的。此外,以一维光子晶体为衬底,利用甩膜方法成功地制得分布反馈式高分子有机激光器。光泵结果表明,该激光染料的放大自发辐射的阈值为260kW/cm2、半波宽为0.22nm。
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