拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究

作者：谭红琳; 张鹏翔; 刘翔; 吴长树

来源：光谱学与光谱分析, 2001, 21(04): 498-500.

DOI：10.3321/j.issn:1000-0593.2001.04.025

• 拉曼光谱
• 荧光光谱
• 半高宽
• 异质结

本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小 ,而PL光谱出现在 90 0nm光谱的FWHM较窄 ,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好 ,但测不出PL光谱 ,所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。

• 出版日期2001
• 单位昆明理工大学