现代工艺集成电路的总剂量效应及加固技术

作者：褚忠强; 徐曦

来源：现代电子技术, 2010, (02): 171-174.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2010.02.023

• 总剂量效应
• 电子空穴对
• 氧化物陷阱电荷
• 界面态 total dose effects
• electron-hole pairs
• oxide trapped charge
• interface traps

随着核技术和空间技术的发展,越来越多的电子设备不可避免地应用于各种辐射环境中。介绍两类重要的辐射环境及现代工艺集成电路总剂量效应的产生机理,详细描述电子空穴对的产生、氧化层陷阱电荷和界面陷阱的特点及对器件或电路的影响,并对现代先进工艺的抗辐射特点及应用前景进行了探讨。指出随着CMOS工艺不断按比例缩小,作为栅介质;HfO2最具应用前景,而Smart-Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料,很可能成为今后SOI材料的主流。

• 出版日期2010
• 单位中国工程物理研究院电子工程研究所