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摘要
采用电弧法分别在高低两种H_2分压下制备了Cr纳米粉(标记为Cr_Ⅰ和Cr_Ⅱ).在电解液中浸泡过的两种Cr纳米粉的XPS分析结果表明,Cr_Ⅱ纳米粉表面在电解液中形成的Cr_2O_3膜比Cr_Ⅰ薄.电化学分析表明,Cr_Ⅱ纳米粉表面更易吸附Cl~-,导致其更容易与Ni共电沉积,这是因为表面氧化膜较薄的Cr_Ⅱ粉,氧化膜可被表面吸附的C1~-点蚀而穿透,导电性增强,使得Ni~(2+)更容易在其表面上还原,快速将Cr_Ⅱ嵌入共电沉积层中.
- 出版日期2011
- 单位中国科学院金属研究所
采用电弧法分别在高低两种H_2分压下制备了Cr纳米粉(标记为Cr_Ⅰ和Cr_Ⅱ).在电解液中浸泡过的两种Cr纳米粉的XPS分析结果表明,Cr_Ⅱ纳米粉表面在电解液中形成的Cr_2O_3膜比Cr_Ⅰ薄.电化学分析表明,Cr_Ⅱ纳米粉表面更易吸附Cl~-,导致其更容易与Ni共电沉积,这是因为表面氧化膜较薄的Cr_Ⅱ粉,氧化膜可被表面吸附的C1~-点蚀而穿透,导电性增强,使得Ni~(2+)更容易在其表面上还原,快速将Cr_Ⅱ嵌入共电沉积层中.
