60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器

作者：侯阳; **; 李凌云; 孙晓玮

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (07): 1373-1376.

• 赝配高电子迁移率晶体管
• 单片微波集成电路
• 低噪声放大器
• 60GHz pHEMT
• MMIC
• LNA
• 60GHz

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×1mm.实测性能指标为:工作频段45~65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.

• 出版日期2008
• 单位中国科学院大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所