反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5,5)单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,C_(Si)缺陷在纳米管表面形成了凹陷,Si_C缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使纳米管表现出n型导电的特点,由价带顶到缺陷能级的跃迁,在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰.

关键词