单晶SiC化学机械抛光液化学反应参数研究

作者：阎秋生; 徐少平; 路家斌; 宋涛

来源：机械设计与制造, 2017, (09): 98-104.

DOI：10.19356/j.cnki.1001-3997.2017.09.026

• 单晶碳化硅
• 化学机械抛光
• 芬顿反应
• 化学反应参数
• 材料去除率
• 表面粗糙度

选择影响化学机械抛光化学反应速率的参数:催化剂浓度、氧化剂浓度、抛光液的pH值、抛光液温度等进行了试验,研究了它们对基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光效果的影响规律。发现只有当H2O2浓度高于20%、Fe3O4浓度高于1.25%时,增大H2O2、Fe3O4浓度,材料去除率才会显著越高,此时材料去除速率由化学液腐蚀速度与磨料机械去除速度共同决定;低于此范围时由磨料的机械作用决定。温度升高会加速H2O2分解,抑制羟基自由基·OH的生成,减缓化学腐蚀,降低材料去除率。当Fe3O4浓度、H2O2浓度、pH值、抛光液温度分别为1.25%、15%、7、41℃时,化学腐蚀与机械去除的协调性及磨料的分散性较好,表面粗糙度最低;当它们分别为5%、25%、9.3、15℃时,材料去除率最高。

• 出版日期2017
• 单位广东工业大学