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摘要
<正> 半导体激光器的光功率-电流(P-I)特性曲线中出现扭折,限制了线性调制范围,并可能出现各种不稳定性。产生扭折的机理有多种多样,例如由于侧向波导有某种不对称性,使基模光强分布随电流增加而引起侧向移动,让更多的光强进入条外吸收区,降低了微分量子效率,导致P-I特性出现扭折;波导机理发生变化,例如由于空间烧孔而从增益波导转变为自聚焦波导时,也使P-I曲线出现扭折。本文观察到的是在达到阈值以后较大的电流范围内始终是单纵模工作的激光器,其P-I特性出现扭折则主要是由于出现一阶侧向横模所致。
- 出版日期1984
- 单位北京大学; 武汉邮电科学研究院
