摘要

采用简单一锅水热法制备具有四方晶相的NdV04(t-NdV04)纳米棒阵列。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱仪(EDS)和选区电子衍射(SAED)技术对t-NdV04纳米棒阵列的物相、形貌和显微组织进行表征。所制备的t-NdVO4纳米棒为单晶,长度约为100 nm,直径为25 nm,并且沿(112)晶面方向定向生长、自组装而成纳米棒阵列。研究表明,Eu3+掺杂会影响NdVO4纳米棒阵列的形成,并导致Nd3+从4D3/2状态到4I11/2的最强光发射红移,并且在400 nm处急剧降低其荧光发射强度。研究结果对优化稀土钒酸盐的光致发光性能具有一定的参考价值。