低压下激光剥离的研究

作者：林飞; 陈志远; 刘宝林; 朱丽虹; 李晓莹; 曾凡明

来源：现代电子技术, 2014, (12): 156-159.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2014.12.019

• GaN
• 激光剥离
• 多脉冲激光照射
• 激光剥离速率 GaN
• laser lift-off
• multipulse lasar irradiation
• laser lift-off rate

为了研究低压环境对激光剥离的影响,利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN/蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射,之后用台阶仪测量样品的分解深度,得知相比常压环境,低压下GaN分解深度在脉冲次数为10次、20次、30次时分别增加了为10.2%,19.0%,24.3%,之后结合GaN材料分解过程和脉冲激光照射GaN/蓝宝石结构过程进行理论分析得到相应低压和常压下的GaN材料的理论分解深度,得到与实验一致的趋势。证明了低压环境能提高激光剥离速率。

• 出版日期2014
• 单位厦门大学